英飞凌最新的 OptiMOS™ 6 功率 MOSFET 系列可实现最高水平的系统效率。OptiMOS™ 6 采用最先进的沟槽工艺,在开关/导通损耗和电流能力方面有显著改进。这些改进可降低系统损耗,从而提高功率密度、电路板温度和整体系统可靠性。目标应用包括开关模式电源(SMPS) 、可再生能源、Oring 电路、电机驱动、LEV 和电池供电应用。
OptiMOS™6 40V 结合了同类最佳的RDS(on)以及优越的开关性能。英飞凌市场领先的OptiMOS™6 功率MOSFET 40V备有两种不同的封装:
- SuperSO8 - 5 x 6 mm with RDS(on) 范围从5.9 mΩ降至0.7 mΩ
- PQFN 3x3 - 3.3 x 3.3 mm with RDS(on)范围从6.3 mΩ降至1.8 mΩ
• 低开关损耗
• 低寄生效应和低工作温度
• 低栅极驱动损耗
• 符合 RoHS 标准的无铅产品
• 超低 QG
• 低 RDS(on)
• 裸露焊盘
• 逻辑和普通栅极驱动两种形式
• 符合 RoHS 标准