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MMBD4448HCQW SOT-363 长晶开关二极管

时间：2025-08-05 阅读量：17

一、基本概述与封装特性
MMBD4448HCQW 是一款表面贴装型硅信号二极管，采用超小型 SOT363（SC88）封装，体积紧凑（典型尺寸约 1.2mm x 2.92mm x 1.3mm），适合高密度电路设计。其封装内含 4 个独立二极管元件，以“2 对共阴极”配置排列，提供灵活的电路连接方式。
二、核心电气参数
1. 电压与电流能力
    反向耐压：最大重复峰值反向电压（VRRM）为 80V，非重复峰值反向电压可达 100V，适用于中低压电路保护。
    正向电流：平均整流电流（Io）为 250mA（每二极管），峰值正向浪涌电流（IFSM）达 4A（@t=1μs），支持瞬时高负载需求。
2. 开关性能
    超快恢复时间：反向恢复时间（trr）仅 4ns，属于快速恢复二极管（<500ns），显著降低开关损耗。
    低正向压降：在 150mA 正向电流下，最大正向压降（VF）为 1.25V，导通损耗低。
3. 漏电流与电容
    反向漏电流：70V 反向电压下漏电流低至 100nA，高温性能稳定（150℃结温）。
    结电容：零偏压时典型结电容（CT）≤ 3.5pF（@1MHz），减少高频信号干扰。
三、内部结构与配置特点
四元件集成：内部集成 4 个独立二极管，构成 2 组共阴极对（2 Pair Common Cathode），可简化多通道开关电路设计。
热管理：封装热阻（θJA）为 625℃/W，最大功耗 200mW，需注意散热布局。
四、典型应用场景
1. 高速开关电路：凭借 4ns 恢复时间，适用于数字逻辑开关、脉冲整形及通信接口电路。
2. 信号处理：用于检波、限幅和钳位电路，低电容特性适配高频信号处理。
3. 电源保护：80V 耐压与高浪涌电流能力，适合作为电源反接保护或瞬态电压抑制元件。
五、技术优势总结
高可靠性：符合 AECQ10x 车规认证，支持 PPAP 流程，满足汽车电子需求。
高效开关：高电导率与快速开关速度兼顾，提升能效。
小型化设计：SOT363 封装节省 PCB 空间，适配便携设备及高集成模块。
六、制造商与生产信息
江苏长晶作为供应商，提供与 Micro Commercial Co（MCC）等品牌兼容的型号（如 MMBD4448HCQWTP），确保参数一致性。
产品以卷带包装（TR）供应，支持自动化贴装，批量采购单价约 $0.104（千片起）。
如需进一步的技术文档或应用设计支持，可参考制造商数据手册（如 ds30153.pdf）。

MMBD4448HCQW SOT-363 长晶开关二极管

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