您好,欢迎来到玩大小单双的正规平台推荐 !
| 0755-28100016 中文
公司新闻 欧洲杯预测最新西班牙 产品新闻 元器件百科 技术资讯 知识解答
快速选型
请选择分类
电阻
合金电阻
长电极电阻
四脚电阻
金属膜电阻
分流器电阻
功率电阻
精密电阻
高压电阻
晶圆电阻
抗硫化电阻
抗浪涌电阻
贴片电阻
采样电阻
车规电阻
排阻
NTC热敏电阻
压敏电阻
电容
贴片电容
钽电容
超级电容
电解电容
薄膜电容
安规电容
高压瓷片电容
车规电容
高频电容
排容
可调电容
高分子电容
硅电容
保险丝
贴片保险丝
自恢复保险丝
陶瓷管保险丝
塑胶型保险丝
玻璃管保险丝
三端保险丝
温度保险丝
电力保险丝/熔断器
玻璃管保险丝
电感
一体成型电感
高频电感
共模电感
功率电感
铁氧体贴片电感
磁珠
村田磁珠
太诱磁珠
顺络磁珠
麦捷磁珠
奇力新磁珠
风华磁珠
TAI-TECH(台庆)磁珠
TDK(东电化)磁珠
场效应管(MOS)
君芯(JX)
美国万代AOS
蓝箭MOS
DIODES(美台) MOS
Infineon(英飞凌) MOS
长电MOS
乐山无线电(LRC) MOS
无锡新洁能(NCE) MOS
Nexperia(安世) MOS
友顺(UTC)MOS管
罗姆(ROHS) MOS管
东芝(TOSHIBA) MOS管
安森美(onsemi) MOS管
二极管/晶体管
二极管
三极管
TVS瞬态抑制二极管
稳压二极管
肖特基二极管
可控硅
整流器
开关管/双向触发管
通用晶体管
晶体管
达林顿晶体管
光耦
放电管
GDT陶瓷气体放电管
TSS半导体放电管
连接器
线到板连接器
板对板连接器
排针连接器
排母连接器
简牛连接器
IDC连接器
USB连接器
SCSI连接器
HDMI连接器
D-SUB 连接器
IGBT管/模块
友顺(UTC)IGBT
东芝(TOSHIBA) IGBT
长晶/长电IGBT
安森美(onsemi) IGBT
请选择品牌
亿能科技(ELLON)
特思嘉(TXGA)
天二科技(Ever Ohms)
华德电子(Walter)
硕凯电子(SOCAY)
陆海电子(SEA & LAND)
丽智电子(LIZ)
三环集团(CCTC)
良胜电子(LANSON)
友顺科技(UTC)
丽晶美能
信维(Sunway)
君芯半导体
基美(KEMET)
村田(Murata)
TDK
AVX
威世(Vishay)
太诱(TAIYO)
三星电子(Samsung)
厚声(UNI-ROYAL)
国巨股份(YAGEO)
光颉科技(ViKing)
顺络(Sunlord)
麦捷科技(Micogate)
萨瑞微电子(Surrey)
力特(Littelfuse)
大毅(TA-I)
巴斯曼(Bussmann)
金科(Jinke)
功得(CONQUER)
伯恩斯(BOURNS)
伊萨(ISA)
进工业(SUSUMU)
富致(FUZETEC)
集电通(JDT)
罗姆(ROHM)
松下电器(Panasonic)
KOA
AEM
聚鼎(PTTC)
长晶科技/长电
风华高科
泰科TE
欧姆龙OMRON
台庆TAI-TECH
中微爱芯(i-CORE)
富满微(FM)
华邦WINBOND
普冉(puya)半导体
旺宏電子(MXIC)
镁光(Micron)
兆易创新(GigaDevice)
赛普拉斯(Cypress)
博雅科技(BOYA TECHNOLOGY)
上海贝岭(BELLING)
Adesto
时恒电子
芯源系统(MPS)
霍尼韦尔(Honeywell)
亿光电子(everlight)
宇阳(EYANG)
禾伸堂(HEC)
华新科技(walsin)
信昌(PSA)
高奇普(KORCHIP)
立隆(LELON)
三莹(SAMYOUNG)
尼吉康(nichicon)
丰宾(capxon)
红宝石(Rubycon)
艾华(Aishi)
易利嘉(EGC)
旺诠(RALEC)
富捷(FOSAN)
君耀(brightking)
奇力新(Chilisin)
线艺电感(Coilcraft)
胜美达(sumida)
乐山无线电(LRC)
美台(Diodes)
晶导微(JD)
英飞凌(infineon)
强茂(PANJIT)
安世(Nexperia)
安森美(ON)
意法半导体(ST)
蓝箭(Blue Rocket)
辰达(MDD)
扬杰(YJ)
德昌(takcheong)
台湾迪迦(TW-GMC)
時科(Sk)
萨科微(Slkor)
伯恩(BORN)
合科泰(HKT)
万代(AOS)
德州仪器(TI)
亚德诺(ADI)
美信(MAXIM)
恩智浦(NXP)
瑞昱(REALTEK)
瑞萨(Renesas)
请选择系列
0306华德宽电极合金电阻
0448 力特贴片保险丝 镀金特快断
0453系列NANO特快断贴片保险丝
0454系列力特镀银贴片保险丝
0456系列力特NANO特快断贴片保险丝
0508系列华德宽电极合金电阻
0612天二宽电极电阻
1020华德宽电极合金电阻
1206 硕凯贴片放电管
1218天二宽电极电阻
1225华德宽电极合金电阻
2030 天二宽电极电阻
3Peak(思瑞浦)放大器
407力特1206延时贴片保险丝
435系列0402慢断力特贴片保险丝
437系列力特1206快断贴片保险丝
438系列力特0603快断贴片保险丝
440系列力特1206贴片保险丝
441系列力特0603贴片保险丝
443 力特NANO贴片保险丝
443LC系列280V力特延时贴片保险丝
458系列 Nano 力特1206贴片保险丝
462 NANO 延时保险丝
466系列力特1206薄膜快断保险丝
469系列力特1206慢断贴片保险丝
5*20 WN系列电力保险丝
501系列力特1206大电流贴片保险丝
6*30 WM系列电力保险丝
Adesto存储芯片
ADI(亚德诺)放大器
ADI(亚德诺)逻辑芯片
AVX 钽电容
Belling(上海贝岭)存储器
BORN(伯恩)二极管
BOYAMICRO(博雅)存储器
Broadcom(博通)放大器
Corebai(芯佰微)放大器
CSP0603-2L 静电保护器
CYPRESS(赛普拉斯)存储器
DFN0603-2L 萨瑞微ESD
DFN0603-2L 静电保护器件
DFN1006-2L 萨瑞微ESD
DFN1006-2L 静电保护器
DFN1006-3L 静电保护器
DFN1608-2L 静电保护元件
DFN2010-8L 静电保护元件
DFN2020-3L 静电保护器
DFN2510-10L 静电保护器
DFN2626-10L 静电保护器
DFN3020-10L 静电保护器
DFN3810-9L 静电保护器
DFN4120-10L 静电保护器
DFN5515-18L 静电保护器
DIODES(美台) 三极管
DIODES(美台) 放大器
DIODES(美台)二极管
DIODES(美台)逻辑芯片
ELLON 0102晶圆电阻
ELLON 0204晶圆电阻
ELLON 0207晶圆电阻
ELLON 0805精密电阻
ELLON 1206精密电阻
ELLON分流电阻(铜排)
ELLON开尔文分流电阻
ELLON高压电容
ESD静电保护器
FH(风华)热敏电阻
FM(富满)逻辑芯片
Gainsil(聚洵)放大器
Gigadevice(兆易创新)存储器
HEC高压电容
HFCL华德1206四端子合金电阻
HGSEMI(华冠)放大器
Hottech(合科泰) 三极管
i-CORE(中微爱芯)放大器
i-CORE(中微爱芯)逻辑芯片
Infineon(英飞凌) 放大器
Infineon(英飞凌)三极管
Infineon(英飞凌)二极管
Jingdao(晶导微)二极管
KEMET钽电容
LFC/LFP 电力保险丝31.5A-80A 500VAC/125VDC
Linear(凌力尔特)放大器
LRC(乐山无线电)二极管
LRC(乐山无线电)半导体放电管
LRC(乐山无线电)存储芯片
LRC(乐山无线电)射频芯片
LRC(乐山无线电)放大器
LRC(乐山无线电)整流桥
LRC(乐山无线电)模拟IC
LRC(乐山无线电)电源管理IC
LRC(乐山无线电)稳压IC
LRC(乐山无线电)达林顿管
LRC(乐山无线电)驱动芯片
Maxim(美信)放大器
MDD(辰达)二极管
MF72-SCN0.7D-20~10D-20 NTC插件热敏电阻
MF72-SCN0.7D-25~5D-25 NTC插件热敏电阻
MF72-SCN1.3D-13~16D-13 NTC插件热敏电阻
MF72-SCN1.3D-15~47D-15 NTC插件热敏电阻
MF72-SCN2.5D-11~60D-11 NTC插件热敏电阻
MF72-SCN2.5D-9~300D-9 NTC插件热敏电阻
MF72-SCN5D-5~200D-5 NTC插件热敏电阻
MF72-SCN5D-7~200D-7 NTC插件热敏电阻
MFR0508天二合金电阻
MFR1225天二长电极电阻
MHC/MHP 电力保险丝10A-30A 500VAC/500VDC
Microchip(微芯科技)存储器
Microchip(微芯科技)放大器
Microchip(微芯科技)逻辑芯片
Micron(镁光)存储器
MOV 05D-20D插件压敏电阻
MOV 25D-53D插件压敏电阻
MSOP-8 静电保护器
MTPP 电力保险丝40A-40A 250VAC
MXIC(旺宏电子)存储器
Nexperia(安世) 三极管
Nexperia(安世) 接口芯片
Nexperia(安世)二极管
Nexperia(安世)逻辑芯片
NXP(恩智浦) 接口芯片
NXP(恩智浦)逻辑芯片
ON(安森美)二极管
ON(安森美)存储器
ON(安森美)放大器
ON(安森美)电子保险丝
ON(安森美)逻辑芯片
Panasonic(松下)热敏电阻
PANJIT(强茂)二极管
PUYA(普冉)存储器
REALTEK(瑞昱)
Renesas(瑞萨) 放大器
ROHM(罗姆) 放大器
ROHM(罗姆)二极管
ROHM(罗姆)存储器
RUNIC(润石) 放大器
Samsung(三星)存储器
SGD0603-2L 静电保护元件
SGD1006-2L 静电保护元件
SGMICRO(圣邦微) 放大器
Shiheng(时恒)热敏电阻
SK(时科) 二极管
Slkor(萨科微) 二极管
SOD-123 静电保护器
SOD-323 静电保护器
SOD-523 静电保护器
SOD-923 静电保护器
SOT-143 静电保护器
SOT-323 静电保护器
SOT-353 静电保护器
SOT-363 静电保护器
SOT-563 静电保护器
SOT23-3L 静电保护器
SOT23-5L 静电保护器
SOT23-6L 静电保护器
ST(意法) 放大器
ST(意法)二极管
ST(意法)存储器
ST(意法半导体)接口芯片
takcheong(德昌) 二极管
TDK 安规电容
TDK 高压电容
TDK(EPCOS)电解电容
TDK(东电化)热敏电阻
TDK共模电感
TDK功率电感
TDK贴片电容
TDK车规电容
TDK高频电感
TI(德州仪器) 放大器
TI(德州仪器)接口芯片
TI(德州仪器)逻辑芯片
Toshiba(东芝)存储器
Toshiba(东芝)逻辑芯片
TWGMC(迪嘉) 二极管
Vishay(威世) 二极管
Vishay(威世)热敏电阻
WD25 电力保险丝150A-250A 750VDC
WD35 电力保险丝150A-400A 800VDC
WD50 电力保险丝200A-400A 300VDC
WD60 电力保险丝200A-600A 500VDC
WD60X 电力保险丝500A-500A 500VDC
WD70电力保险丝250A-600A 700VDC
WD80电力保险丝200A-500A 250VDC
WE30电力保险丝50A-600A 700VDC
WE35电力保险丝60A-150A 800VDC
WE40电力保险丝500A-600A 800VDC
WE50电力保险丝60A-300A 500VAC
WE55电力保险丝100A-400A 200VAC
WH25电力保险丝50A-100A 800VDC
WH30电力保险丝10A-250A 500VDC
WH40电力保险丝5A-150A 700VDC
WH60电力保险丝20A-400A 150VDC
WHFMM 电力保险丝 500A~700A 690VAC/50KA~500VDC/10KA
Winbond(华邦)存储器
WJ30电力保险丝4A-30A 1500VDC
WJ45电力保险丝5A-50A 800VDC
WJ50电力保险丝5A-10A 700VDC
WJ60电力保险丝63A-125A 500VAC
WL10电力保险丝5A-60A 200VDC
WL20电力保险丝5A-50A 500VDC
WL25电力保险丝2A-30A 600VAC/600VDC
WL30电力保险丝5A-50A 700VDC
WL40电力保险丝440mA-15A 1000VAC/1000VDC
WL50电力保险丝1A-30A 1000VDC
WL55电力保险丝2.5A-6A 1500VDC
WL60电力保险丝2A-15A 1500VDC
WM10电力保险丝200mA-12A 600VAC/600VDC
WM20电力保险丝200mA-3A 660VAC/1000VDC
WM30电力保险丝200mA-30A 660VAC/660VDC
WM40电力保险丝15A-30A 660VAC/660VDC
WM50电力保险丝20A-50A 250VAC/150VDC
WM70电力保险丝5A-50A 75VAC
WN30电力保险丝200mA-20A 500VDC
WS80 电力保险丝 100A 1500VDC/20KA
YANGJIE(扬杰科技)
三星贴片电容
三环贴片电容
三莹电解电容
东沃TVS管
东芝(TOSHIBA)二极管
东芝(TOSHIBA)光耦
东芝(TOSHIBA)微处理器
东芝(TOSHIBA)接口芯片
东芝(TOSHIBA)放大器
东芝(TOSHIBA)晶体管
东芝(TOSHIBA)电子保险丝
东芝(TOSHIBA)电源管理IC
东芝(TOSHIBA)稳压IC
东芝(TOSHIBA)负载开关
东芝(TOSHIBA)过温检测芯片
东芝(TOSHIBA)音视频处理器
东芝(TOSHIBA)驱动IC
丰宾电解电容
丽智分流器
丽智合金电阻
丽智抗硫化电阻
丽智高压电阻
乐山无线电(LRC) 三极管
亚德诺(ADI)接口芯片
亿光可控硅
亿能一体成型电感
亿能分流器
亿能功率电感
亿能功率电阻
亿能合金电阻
亿能晶圆电阻
亿能精密电阻
亿能精密电阻
亿能贴片电容
亿能贴片电阻
亿能长电极电阻
伯恩斯TVS管
伯恩斯功率电感
伯恩斯自恢复保险丝
信昌功率电感
信昌贴片电容
信维(Sunway)
光颉 0402精密电阻
光颉 0603精密电阻
光颉 1206精密电阻
光颉0102 晶圆电阻
光颉0204 晶圆电阻
光颉0207 晶圆电阻
光颉合金电阻
光颉宽电极电阻
光颉晶圆电阻
光颉精密电阻
光颉精密电阻
光颉贴片电阻
力特451系列 Nano 快断贴片保险丝
力特452-NANO Slo-Blo贴片保险丝
力特温度保险丝
力特熔断器
力特玻璃管保险丝
力特自恢复保险丝
力特贴片保险丝
力特陶瓷管保险丝
功得玻璃管保险丝
功得陶瓷管保险丝
华德0603F贴片保险丝
华德0603T贴片保险丝
华德1032HB贴片保险丝
华德1032SF贴片保险丝
华德1032ST贴片保险丝
华德1206F贴片保险丝
华德1206HC贴片保险丝
华德1206SF贴片保险丝
华德1206T贴片保险丝
华德2000圆形超小型保险丝
华德2010方形超小型保险丝
华德2020方形贴片保险丝
华德2020方形超小型保险丝
华德2040方形保险丝
华德2410F贴片保险丝
华德2410H贴片保险丝
华德2410LT贴片保险丝
华德6125SF贴片保险丝
华德6125SH贴片保险丝
华德BGF/BFP玻璃管保险丝
华德BGT/BTP玻璃管保险丝
华德CIS/CSP玻璃管保险丝
华德FCP微型保险丝
华德FDP陶瓷管保险丝
华德FEP微型保险丝
华德FHC/FHP陶瓷管保险丝
华德FSC陶瓷管保险丝
华德FSD玻璃管保险丝
华德HP-F2003保险丝座与配件6.35*30 &6.35*31.75
华德ICP陶瓷管保险丝
华德JDC/JDP玻璃管保险丝
华德JGC/JGP玻璃管保险丝
华德MDC/MDP玻璃管保险丝
华德MDS/MDT玻璃管保险丝
华德MFS/MFP玻璃管保险丝
华德MGC/MGP玻璃管保险丝
华德MSH合金电阻
华德MTC陶瓷管保险丝
华德MTG玻璃管保险丝
华德MTP陶瓷管保险丝
华德MTT陶瓷管保险丝
华德R3-11保险丝座与配件 5.2x20
华德R3-12保险丝座与配件 5.2x20
华德R3-13保险丝座与配件6.35*30 &6.35*31.75
华德R3-9保险丝座与配件6.35*30 &6.35*31.75
华德SBC/SBP陶瓷管保险丝
华德SCC/SCP陶瓷管保险丝
华德SGP玻璃管保险丝
华德SIC/SIP玻璃管保险丝
华德SLA玻璃管保险丝
华德TAP玻璃管保险丝
华德TB温度保险丝
华德TCP微型保险丝
华德TDP陶瓷管保险丝
华德TEP微型保险丝
华德TE温度保险丝
华德TG温度保险丝
华德TMD玻璃管保险丝
华德TME玻璃管保险丝
华德TNP微型保险丝
华德TSC+P陶瓷管保险丝
华德TSC陶瓷管保险丝
华德TSD玻璃管保险丝
华德TU温度保险丝
华德WDH1保险丝座与配件 38*75
华德WDH2保险丝座与配件 38*70
华德WEH1保险丝座与配件 30*65
华德WEH2保险丝座与配件 30*50
华德WJ-30H保险丝座与配件 14X51
华德WL-206保险丝座与配件 6.35X30 & 6.35X31.75
华德WL-208保险丝座与配件 5.2x20
华德WL-209保险丝座与配件 5.2x20
华德WL-210A保险丝座与配件 5.2x20
华德WL-210D保险丝座与配件 5.2x20
华德WL-210E保险丝座与配件
华德WL-211A保险丝座与配件 D=6
华德WL-211保险丝座与配件 6.35*30 &6.35*31.75
华德WL-212保险丝座与配件 5.2x20
华德WL-216M保险丝座与配件 D-10
华德WL-52H保险丝座与配件 10X38
华德WL-60H保险丝座与配件 10X85
华德合金电阻
华德四脚电阻
华德塑胶型保险丝
华德宽电极电阻
华德微型保险丝
华德温度保险丝
华德熔断器
华德玻璃管保险丝
华德贴片0402F保险丝
华德贴片保险丝
华德陶瓷管保险丝
华新科贴片电容
华科贴片电容
华科贴片电阻
厚声功率电阻
厚声抗浪涌电阻
厚声排阻
厚声贴片电阻
厚声采样电阻
厚声高压电阻
友顺(UTC)ESD静电管
友顺(UTC)TVS管
友顺(UTC)二极管
友顺(UTC)可控硅
友顺(UTC)射频芯片
友顺(UTC)放大器
友顺(UTC)晶体管
友顺(UTC)模拟IC芯片
友顺(UTC)电源管理芯片
友顺(UTC)达林顿管
友顺(UTC)通用晶体管
友顺(UTC)音视频处理器
友顺(UTC)驱动芯片
君耀TVS管
君耀半导体放电管
君耀压敏电阻
君耀自恢复保险丝
君耀陶瓷气体放电管
国巨合金电阻
国巨抗浪涌电阻
国巨抗硫化电阻
国巨排容
国巨排阻
国巨精密电阻
国巨贴片电容
国巨贴片电阻
国巨车规电阻
国巨车规贴片电容
国巨采样电阻
国巨高压电容
国巨高压电阻
国巨高频电容
基美贴片电容
大毅合金电阻
天二0201精密电阻
天二0402精密电阻
天二0603精密电阻
天二0805精密电阻
天二1206精密电阻
天二1210精密电阻
天二2010精密电阻
天二MFF1225金属微四端子电阻
天二功率电阻
天二合金电阻
天二四脚电阻
天二抗浪涌电阻
天二抗浪涌电阻(耐突波电阻)
天二抗硫化电阻
天二排阻
天二精密电阻
天二精密贴片电阻
天二贴片电阻
天二车规电阻
天二采样电阻
天二金属膜电阻
天二长电极电阻
天二高压电阻
太诱功率电感
太诱电解电容
太诱贴片电容
太诱车规贴片电容
太诱高频电感
奇力新一体成型电感
奇力新功率电感
奇力新高频电感
威世功率电感
威世合金电阻
威世精密电阻
威世钽电容
宇阳贴片电容
安森美(onsemi) 复位IC
安森美(onsemi) 控制器
安森美(onsemi) 碳化硅(SiC)
安森美(onsemi)二极管
安森美(onsemi)以太网芯片
安森美(onsemi)光耦
安森美(onsemi)存储器
安森美(onsemi)开关
安森美(onsemi)微处理器
安森美(onsemi)接口芯片
安森美(onsemi)整流器
安森美(onsemi)时钟IC
安森美(onsemi)晶体管
安森美(onsemi)模拟IC
安森美(onsemi)比较器
安森美(onsemi)电源管理IC
安森美(onsemi)稳压IC
安森美(onsemi)蓝牙芯片
安森美(onsemi)音视频处理器
安森美(onsemi)驱动IC
富捷贴片电阻
富致自恢复保险丝
尼吉康电解电容
巴斯曼0603FA贴片保险丝
巴斯曼0603HV系列贴片保险丝
巴斯曼1025FA系列贴片保险丝
巴斯曼1025HC系列贴片保险丝
巴斯曼1025TD系列贴片保险丝
巴斯曼1145HV-and-1350HV系列贴片保险丝
巴斯曼1145HVA系列贴片保险丝
巴斯曼1245-UMF系列贴片保险丝
巴斯曼1245HC系列贴片保险丝
巴斯曼3216FF系列贴片保险丝
巴斯曼3216LV系列贴片保险丝
巴斯曼3216TD系列贴片保险丝
巴斯曼6125FF系列贴片保险丝
巴斯曼6125TD系列贴片保险丝
恩智浦(NXP)射频芯片
恩智浦(NXP)无线蓝牙芯片
恩智浦(NXP)模拟IC芯片
恩智浦(NXP)电源管理芯片
恩智浦(NXP)音视频芯片处理器
旺诠厚膜电阻
旺诠合金电阻
易利嘉安规电容
易利嘉高压电容
晶导微TVS管
村田共模电感
村田功率电感
村田安规电容
村田微调电容
村田热敏电阻
村田硅电容
村田贴片电容
村田超级电容
村田车规贴片电容
村田高分子电容
村田高压电容
村田高压电阻
村田高频电感
松下电解电容
松下薄膜电容
松下钽电容
槟城TVS管
槟城陶瓷气体放电管
特思嘉 D-USB 连接器
特思嘉 HDMI 连接器
特思嘉 IDC连接器
特思嘉 SCSI 连接器
特思嘉 USB连接器
特思嘉 排针连接器
特思嘉 板到板连接器
特思嘉 简牛连接器
特思嘉 线到板连接器
禾伸堂贴片电容
立隆电解电容
红宝石电解电容
罗姆(ROHM)驱动芯片
美信(Maxim) 接口芯片
美台TVS管
聚鼎三端保险丝
聚鼎自恢复保险丝
良胜三端保险丝
良胜方形保险丝
良胜温度保险丝
良胜熔断器
良胜玻璃管保险丝
良胜玻璃管保险丝
良胜贴片保险丝
良胜陶瓷管保险丝
良胜陶瓷管保险丝
艾华电解电容
英飞凌TVS管
蓝宝 三端保险丝
蓝箭(BLUE ROCKET)二极管
蓝箭三极管
金科低阻贴片自恢复保险丝
金科插件式圆形自恢复保险丝
金科插件式方形自恢复保险丝
金科条状自恢复保险丝
金科贴片自恢复保险丝
长晶/长电SiC芯片
长晶/长电可控硅
长晶/长电复位IC
长晶/长电晶体管
长晶/长电比较器
长电/长晶 三极管
长电/长晶放大器
长电/长晶整流桥
长电/长晶电源管理IC
长电/长晶稳压IC
长电/长晶达林顿管
长电/长晶驱动IC
长电TVS管
长电二极管
长电稳压二极管
长电肖特基二极管
陆海0603自恢复保险丝
陆海0805自恢复保险丝
陆海1206自恢复保险丝
陆海1210自恢复保险丝
陆海1812自恢复贴片保险丝
陆海2018自恢复保险丝
陆海2920自恢复保险丝
陆海自恢复保险丝
集电通自恢复保险丝
静芯微TVS管
顺络 钽电容
顺络一体成型电感
顺络一体成型电感
顺络共模电感
顺络功率电感
顺络压敏电阻
顺络热敏电阻
顺络钽电容
顺络高频电感
风华功率电感
风华功率贴片电阻
风华压敏电阻
风华合金电阻
风华安规电容
风华抗浪涌电阻
风华抗硫化电阻
风华瓷介电容
风华电解电容
风华精密电阻
风华自恢复保险丝
风华贴片电容
风华贴片电阻
风华超级电容
风华车规电容
风华车规电阻
风华铁氧体电感
风华高压贴片电阻
风华高频电感
高压多层MLV贴片压敏电阻
高奇普超级电容
麦捷一体成型电感
麦捷功率电感
麦捷高频电感

新方案发布,替代EUV光刻

时间:2024-06-13 阅读量:283

随着英特尔、三星、台积电以及日本即将落成的先进晶圆代工厂 Rapidus尽管各家公司都各自准备将越来越多的晶体管塞进每平方毫米的硅片中,但它们有一个共同点,那就是它们所依赖的极紫外 (EUV) 光刻技术极其复杂、极其昂贵,而且操作成本极高。主要原因是,该系统的 13.5 纳米光的来源是使用地球上最强大的商用激光器喷射飞散的熔融锡滴的精确且昂贵的过程。

 

但一种非常规替代方案正在酝酿之中。日本筑波高能加速器研究组织(KEK)的一组研究人员认为,如果利用粒子加速器的能量,EUV 光刻技术可能会更便宜、更快速、更高效。

 

 

甚至在晶圆厂安装首批 EUV 机器之前,研究人员就看到了使用粒子加速器产生的强大光源( 自由电子激光 (FEL:free-electron laser))进行 EUV 光刻的可能性。然而,KEK 的科学家表示,并不是任何粒子加速器都可以做到这一点。他们声称,EUV 光刻的最佳候选方案是采用粒子加速器版本的再生制动(原文:They claim the best candidate for EUV lithography incorporates the particle-accelerator version of regenerative braking)。它被称为能量回收线性加速器(energy recovery linear accelerator),可以使自由电子激光经济地产生数十千瓦的 EUV 功率。这足以同时驱动不止一台而是多台下一代光刻机,从而降低先进芯片制造的成本。

 

KEK 先进光源研究员 Norio Nakamura在参观该设施时告诉我:“FEL 光束的极高功率、较窄的光谱宽度以及其他特性使其非常适合用于未来的光刻技术。”

 

 

 

直线加速器与激光等离子体

 

 

 

当今的 EUV 系统仅由一家制造商制造, 即总部位于荷兰费尔德霍芬的ASML。当 ASML 于 2016 年推出第一代这种价值 1 亿美元以上的精密机器时,业界对它们的需求非常迫切。芯片制造商一直在尝试各种变通方法,以应对当时最先进的系统,即使用 193 纳米光的光刻技术。转向更短的 13.5 纳米波长是一场革命,它将减少芯片制造所需的步骤数量,并使摩尔定律在下一个十年继续有效。

 

持续延迟的主要原因 是光源太暗。最终能够提供足够明亮的 EUV 光源的技术称为激光等离子体 (EUV-LPP)。它使用二氧化碳激光器每秒数千次将熔融的锡滴喷射成等离子体。等离子体发射出光子能量光谱,然后专用光学器件从光谱中捕获必要的 13.5 纳米波长,并将其引导通过一系列镜子。

 

随后,EUV 光从图案化掩模上反射,然后投射到硅晶片上。

 

KEK 的实验性紧凑型能量回收直线加速器利用电子返回过程中的大部分能量来加速一组新电子

 

所有这些加起来就是一个高度复杂的过程。尽管它从耗电量高达千瓦的激光器开始,但反射到晶圆上的 EUV 光量只有几瓦。光线越暗,在硅片上可靠地曝光图案所需的时间就越长。如果没有足够的光子携带图案,EUV 的速度会不经济。而过分追求速度可能会导致代价高昂的错误。

 

在刚机器刚推出时,功率水平足以每小时处理约 100 片晶圆。从那时起,ASML 已成功将当前系列机器的产量稳步提高到每小时约 200 片晶圆。

 

ASML 目前的光源额定功率为 500 瓦。但 Nakamura 表示,未来需要更精细的图案,可能需要 1 千瓦或更高功率。ASML 表示,它有开发 1,000 瓦光源的路线图。但这可能很难实现,Nakamura 表示,他曾领导 KEK 的光束动力学和磁铁小组,退休后重新开始从事 EUV 项目。

 

很难,但并非不可能。印第安纳州普渡大学极端环境下材料研究中心主任艾哈迈德·哈萨尼恩 (Ahmed Hassanein)表示,将光源功率翻倍“非常具有挑战性” 。但他指出,ASML 过去曾通过改进和优化光源和其他组件的综合方法实现了类似的高难度目标,他不排除重复这一做法的可能性。

 

在自由电子激光器中,加速电子受到交变磁场的影响,导致它们波动并发射电磁辐射。辐射将电子聚集在一起,导致它们仅放大特定波长,从而产生激光束。

 

但亮度并不是 ASML 在激光等离子源方面面临的唯一问题。“升级到更高的 EUV 功率时,存在许多挑战性问题,”Hassanein 说。他列举了几个问题,包括“污染、波长纯度和镜面收集系统的性能。”

 

另一个问题是高昂的运营成本。这些系统每分钟消耗约 600 升氢气,其中大部分用于防止锡和其他污染物进入光学元件和晶圆。(不过,回收可以降低这一数字。)

 

但最终,运营成本还是取决于电力消耗。弗吉尼亚州托马斯·杰斐逊国家加速器设施最近退休的高级研究员斯蒂芬·本森(Stephen Benson) 估计,整个 EUV-LPP 系统的电光转换效率可能不到 0.1%。他说,像 KEK 正在开发的这种自由电子激光器,其效率可能是前者的 10 到 100 倍。

 

 

 

能量回收直线加速器

 

 

 

KEK 正在开发的系统通过将电子加速到相对论速度,然后以特定方式偏离其运动来产生光。

 

中村解释说,这个过程始于电子枪将电子束注入一根数米长的低温冷却管。在这个管子里,超导体发出射频 (RF) 信号,驱动电子越来越快地移动。然后电子旋转 180 度,进入一个叫做波荡器的结构,这是一系列方向相反的磁铁。(KEK 系统目前有两个。)波荡器迫使高速电子沿正弦路径运动,这种运动导致电子发光。

 

在线性加速器中,注入的电子从射频场获得能量。通常,电子随后会进入自由电子激光器,并立即被处理到束流收集器中。但在能量恢复线性加速器 (ERL) 中,电子会回到射频场,并将其能量借给新注入的电子,然后再进入束流收集器。(文后附详细说明)

 

接下来发生的现象称为自放大自发辐射(SASE:self-amplified spontaneous emissions)。光与电子相互作用,减慢一些电子的速度,加快另一些电子的速度,因此它们聚集成“微束”(microbunches),即沿波荡器路径周期性出现的密度峰值。现在结构化的电子束只放大与这些微束周期同相的光,从而产生相干的激光束。

 

正是在这一点上,KEK 的紧凑型能量回收直线加速器 (cERL:compact energy recovery linac) 与传统直线加速器驱动的激光器有所不同。通常,耗尽的电子束是通过将粒子转移到所谓的束流 收集器中来处理的。但在 cERL 中,电子首先循环回到 RF 加速器。这束电子现在与刚开始旅程的新注入电子处于相反的相位。结果是耗尽的电子将大部分能量转移到新束流中,从而增强其能量。一旦原始电子的部分能量以这种方式耗尽,它们就会被转移到束流收集器中。

 

“直线加速器中的加速能量被回收,与普通直线加速器相比,被丢弃的光束功率大幅降低,”中村向我解释道,而另一间屋子的科学家正在操作激光器。他说,重复使用电子的能量意味着,在同样的电量下,系统可以通过加速器发送更多的电流,并且可以更频繁地发射激光器。

 

其他专家也同意这一观点。能量回收直线加速器的效率提高可以降低成本,“这是使用 EUV 激光产生等离子体的主要考虑因素”,Hassanein 说道。

 

 

 

EUV 能量回收直线加速器

 

 

 

KEK 紧凑型能量回收直线加速器最初于 2011 年至 2013 年间建造,旨在向该机构物理和材料科学部门的研究人员展示其作为同步辐射源的潜力。但研究人员对计划中的系统并不满意,因为它的性能目标低于一些基于存储环的同步加速器(巨大的圆形加速器,可保持电子束以恒定的动能移动)所能达到的水平。因此,KEK 研究人员开始寻找更合适的应用。在与当时拥有闪存芯片部门的东芝等日本科技公司交谈后,研究人员进行了初步研究,证实使用紧凑型能量回收直线加速器可以实现千瓦级光源。因此,EUV 自由电子激光器项目诞生了。2019 年和 2020 年,研究人员修改了现有的实验加速器,开始了 EUV 光之旅。

 

该系统被安置在一个全混凝土房间内,以保护研究人员免受运行时产生的强烈电磁辐射。房间长约 60 米,宽约 20 米,大部分空间被复杂的设备、管道和电缆所占据,这些设备、管道和电缆沿着房间两侧蜿蜒而行,形成一条细长的赛道。

 

该加速器目前还无法产生 EUV 波长。借助 17 兆电子伏特的电子束能量,研究人员能够以 20 微米红外光爆发的形式产生 SASE 辐射。早期测试结果于 2023 年 4 月发表在《日本应用物理学杂志》上。下一步工作正在进行中,即在连续波模式下产生更大的激光功率。

 

当然,20 微米与 13.5 纳米相差甚远。而且,目前已有多种类型的粒子加速器能够产生比 EUV 波长更短的同步辐射。但 KEK 研究人员声称,基于能量回收线性加速器的激光器由于其固有效率,可以产生更多 EUV 功率。在同步辐射源中,光强度与注入电子的数量成正比。相比之下,在自由电子激光系统中,光强度的增加大致与注入电子数量的平方成正比,从而产生更高的亮度和功率。

 

要使能量回收线性加速器达到 EUV 范围,需要进行设备升级,而 KEK 目前没有足够的空间来升级设备。因此,研究人员现在正在考虑构建一个可以产生所需 800 MeV 能量的新原型系统。

 

电子枪将电荷注入KEK的紧凑型能量回收线性加速器

 

2021 年,在严重的通货膨胀影响全球经济之前,KEK 团队估计,一套新系统的建设成本(不包括土地)为 400 亿日元(2.6 亿美元),该系统可提供 10 千瓦的 EUV 并为多台光刻机供电。年运行成本估计约为 40 亿日元。因此,即使考虑到最近的通货膨胀,“我们装置中每个曝光工具的估计成本与当今激光产生的等离子源的估计成本相比仍然相当低”,Nakamura 说。

 

Nakamura 承认,在这样的系统能够达到半导体制造商所要求的高性能和运行稳定性之前,还有很多技术挑战需要解决。该团队必须开发超导腔、电子枪和波荡器等关键部件的全新版本。工程师还必须开发良好的程序技术,以确保电子束在运行过程中不会衰减或失效等。

 

为了确保他们的方法具有足够的成本效益,以吸引芯片制造商的注意,研究人员需要创建一个可以可靠地同时向多台光刻机传输超过 1 千瓦 EUV 功率的系统。研究人员已经设计出一种特殊镜子的布置概念,这种镜子可以将 EUV 光传送到多个曝光工具,而不会造成功率损失或损坏镜子。

 

 

 

其他 EUV 可能性

 

 

 

对于快速扩张的芯片制造商来说,EUV 自由电子激光器的开发还为时过早,还不值得关注。但 KEK 团队并不是唯一追逐这项技术的团队。位于加州帕洛阿尔托、由风险投资支持的初创公司 xLight也在追逐这项技术的团队之列。该公司聚集了来自斯坦福线性加速器等机构的粒子加速器资深人士,最近与伊利诺伊州的费米国家加速器实验室签署了一项研发协议,以开发超导腔和低温模块技术。

 

据xLight介绍,公司成立的使命是打造一种能够彻底改变光刻、计量和检测的光源。他们表示,之所以有这个目标,是源于“美国必须重新夺回并保持半导体制造业的领导地位”这样的信念。

 

xLight开发了一种用于尖端半导体器件制造的极紫外 (EUV) 光源,在性能、生产率和可持续性方面具有显著的竞争优势。xLight 光源以成熟的粒子加速器技术为基础,系统工程专注于大批量制造要求。因此,这种新光源可靠地提供了能够改变当前制造工艺的功能和可调性,同时还实现了下一代架构和工艺节点所需的光刻、计量和检测功能。

 

xLight生成,其新型 EUV 光源将使美国在未来的半导体行业中占据领先地位。

 

记者试图联系 xLight,但没有得到答复,但在 1 月份,该公司参加了在东京举行的第 8 届 EUV-FEL 研讨会,前首席执行官 Erik Hosler就该技术进行了演讲。

 

值得注意的是,ASML 十年前就考虑过转向粒子加速器,最近在将自由电子激光技术的进展与激光等离子体路线图进行比较时,ASML 又考虑过转向粒子加速器。但公司高管认为 LLP 的风险较小。

 

事实上,这是一条充满风险的道路。独立人士对 KEK 项目的看法强调,可靠性和资金将是研究人员未来面临的最大挑战。“研发路线图将涉及许多苛刻的阶段,以开发出可靠、成熟的系统,”Hassanein 说。“这将需要大量投资,并需要相当长的时间。”

 

“机器设计必须极其坚固,并内置冗余,”退休研究科学家 Benson 补充道。设计还必须确保组件不会因辐射或激光而受损。”而且这必须“在不影响性能的情况下实现,性能必须足够好,以确保良好的电能转换效率。”

 

更重要的是,Benson 警告说,如果没有立即投资该技术的承诺,“EUV-FEL 的开发可能无法及时到来以帮助半导体行业。”

 

对啦,大家是否对这个方案似曾相识?因为早两年,国内自媒体就流传过一个相关方案。但当时的评论,大家可以翻一下报道。

*免责声明:本文由作者原创。文章内容系作者个人观点,华年商城转载仅为了传达一种不同的观点,不代表华年商城对该观点赞同或支持,如果有任何异议,欢迎联系华年商城。


Copyright © 赌大小单双平台 All Right Reserved 粤ICP备15069920号  
Baidu
map